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產品詳情
簡單介紹：
PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
詳情介紹：
概述
PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。 獨特的自偏置方法可實現從薄膜到厚膜的低應力高質量氧化硅膜的沉積。 它是支持 ±4 英寸的研發設備。
特點
緊湊設計
專為直徑高達 ±4 英寸的晶圓而設計，采用緊湊的設備設計，節省空間。
高速沉積和應力控制
采用獨特的自偏置方法，可在100nm/min以上的高速、低應力下進行成膜。
低溫沉積
可在 80°C 的低溫下沉積。
階梯覆蓋性優異的成膜
使用液體源 TEOS 的 LSCVD® 方法可實現具有出色步進覆蓋和嵌入特性的沉積。
控制折射率
通過添加 Ge、P 和 B 液體源，可以控制折射率。
應用示例
SAW 器件的溫度補償膜和鈍化膜
MEMS 面罩和氧化膜犧牲層
3D 封裝中 TSV（Si 通孔）側壁的絕緣膜
光波導的核心層和包層形成
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